Descrição:
O Módulo IGBT MG15N6ES42 é um dispositivo de potência semicondutor projetado para aplicações de controle e acionamento de alta potência. Ele combina a tecnologia do Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) com a funcionalidade de um diodo de roda livre integrado.
Especificações Técnicas:
Características Elétricas:
Tensão de coletor-emissor (Vces): 600V
Corrente de coletor contínua (Ic): 15A
Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 2.3V (máx.) a 25°C
Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 3.1V (máx.) a 150°C
Corrente de base contínua (Ib): 5A
Tensão de limiar de entrada (VGE(th)): 5V (máx.)
Capacitância de entrada (Cies): 1.6nF
Capacitância de saída (Coes): 0.26nF
Capacitância de transferência (Cres): 0.6nF
Características Térmicas:
Resistência térmica do junction-case (Rth(j-c)): 1.15°C/W
Resistência térmica do junction-ambiente (Rth(j-a)): 62°C/W
Temperatura máxima de junção (Tjmax): 150°C
Temperatura de operação (Topr): -40°C a 150°C
Características Mecânicas:
Encapsulamento: Módulo DBC (Direct Bonded Copper)
Peso: 15g
Dimensões: Consulte o datasheet oficial para obter informações detalhadas sobre as dimensões do módulo.
Características de Proteção:
Proteção contra curto-circuito (SC: Short-Circuit)
Proteção contra sobretensão (OVP: Over-Voltage Protection)
Proteção contra sobrecorrente (OCP: Over-Current Protection)
Proteção contra superaquecimento (OTP: Over-Temperature Protection)
Proteção contra corrente reversa (RC: Reverse Current Protection)