Especificações:
Modelo: SKM100GB125DN
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Tensão nominal: 1200V
Corrente nominal: 75A
Estrutura de encapsulamento: Módulo de pressão com caixa metálica
Configuração: 2 IGBTs em série
Características do IGBT:
Tensão máxima de coletor-emissor (VCE): 1200V
Corrente máxima de coletor (IC): 75A
Tensão de saturação (VCE sat): 1,8V (máx.) a 75A
Ganho de corrente direta (hFE): 8 (mín.) a 75A, 25°C
Tempo de comutação (ton, toff): típico 400ns
Resistência térmica do chip para caso (Rthj-c): 0,15°C/W
Características do diodo de freio:
Tensão máxima de bloqueio reverso (VRRM): 1200V
Corrente média de encaminhamento (IFAV): 75A
Corrente máxima de encaminhamento (IFRM): 150A
Tensão de queda direta (VF): 1,8V (máx.) a 75A
Características térmicas:
Resistência térmica do chip para dissipador de calor (Rthj-hs): 0,25°C/W
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Temperatura de armazenamento (Tstg): -40°C a 150°C
Características elétricas adicionais:
Capacitância de entrada (Cies): 2400pF
Capacitância de saída (Coes): 270pF
Capacitância de transferência (Cres): 230pF
Consumo de energia em off-state (Eoff): 1,8mJ
Consumo de energia em on-state (Eon): 24mJ
Frequência de operação recomendada: 20kHz a 100kHz
Dimensões físicas:
Peso: Aproximadamente 85g
Dimensões: 62mm x 140mm x 17mm (Largura x Comprimento x Altura)
Montagem: Com parafusos
Terminais: Pinos de cobre