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Modelo: 7MBR50UB-120-50 Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Tensão de alimentação: 1200V Corrente contínua máxima: 50A Tensão de controle: 15V Potência máxima dissipada: 450W Número de módulos IGBT: 7 Características de comutação: Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V (a 25°C, IC = 50A) Tempo de subida tr: 0.5μs (a 25°C, VCC = 600V) Tempo de queda tf: 1.8μs (a 25°C, VCC = 600V) Tempo de recuperação reversa trr: 1.0μs (a 25°C, IC = 50A, di/dt = -200A/us) Temperatura de operação: -40°C a +150°C Encapsulamento: Módulo com isolamento Aplicações típicas: Inversores de potência, fontes de alimentação, sistemas de controle de motor, conversores de frequência, entre outros.
