Módulo IGBT BSM10GP120 1200V 10A

Produto: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) BSM10GP120
Tensão nominal: 1200V
Corrente nominal: 10A
Tipo de encapsulamento: Módulo em caixa plástica (package)
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200V
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ±20V
Corrente de coletor contínua (Ic): 10A
Corrente de coletor de pico (Icp): 30A
Tensão de threshold de ligação (Vth): 4V
Resistência térmica do encapsulamento (RthJC): 2.5°C/W
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Encapsulamento: Módulo de plástico
Número de pinos: 3 pinos
Dimensões físicas: 115x35x35mm
Peso:  125 g

Aplicações:

Controle de potência em sistemas de controle industrial
Controle de velocidade de motores elétricos
Fontes de alimentação reguladas
Sistemas de energia solar e eólica
Conversores de frequência