Módulo IGBT BSM50GD120DN2 1200V 50A

Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
RoHS: Detalhes
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Hex
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máxima: 1,2 kV
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 2,5 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 72 A
Corrente de Fuga Gate-Emissor: 200 nA
Pd - Dissipação de Potência: 350 W
Pacote / Case: EconoPACK 2A
Temperatura Mínima de Operação: - 40 °C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 °C
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 17 mm
Comprimento: 107,5 mm
Tensão Máxima do Gate-Emissor: 20 V
Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Quantidade por Pacote: 10
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 45 mm
Alias da Peça: SP000100359 BSM50GD120DN2BOSA1
Peso Unitário: 250,125 g