Módulo IGBT SKM300GAL12T4 1200V 300A

Modelo: SKM300GAL12T4
Tipo de módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200 V
Corrente máxima de coletor contínuo (Ic): 300 A
Corrente máxima de coletor de pico (Icp): 600 A
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ± 20 V
Tensão de threshold de gate-emissor (Vth): 5 V
Potência máxima dissipada (Pd): 600 W
Resistência térmica do chip para o dissipador (Rth(j-c)): 0,12 °C/W
Resistência térmica do dissipador para o ambiente (Rth(c-a)): 0,03 °C/W
Temperatura de junção máxima (Tj): 150 °C
Temperatura de operação (Tc): -40 a +150 °C
Encapsulamento: Módulo de disco de cerâmica
Dimensões: 116x60x30mm
Peso: Aproximadamente 400 g

Aplicações:

Controle de potência em sistemas de controle industrial
Controle de velocidade de motores elétricos
Fontes de alimentação reguladas
Sistemas de energia solar e eólica
Conversores de frequência