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Fabricante: Semikron Modelo: SKM400GAL125D Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 1250V Corrente contínua máxima de coletor (Ic): 400A Corrente de pulso máxima de coletor (Icp): 1200A Corrente máxima de curto-circuito (Isc): 4500A Tensão de polarização máxima do gate-emissor (Vge): ±20V Tensão máxima de circuito aberto do gate-emissor (Vge th): 5V Tensão máxima de dissipação do gate-emissor (Pge): ±20W Resistência térmica do case ao dissipador (Rth(j-c)): 0,08°C/W Resistência térmica do dissipador ao ambiente (Rth(c-a)): 0,08°C/W Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C Temperatura máxima de operação (Tc): 80°C Configuração do módulo: Half-bridge (Ponte completa) Encapsulamento: Módulo de potência Peso: 0,35kg
