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Fabricante: Infineon Categoria de Produto: Módulos IGBT Produtos: Módulos de Silício IGBT Configuração: Hex Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 600 V Tensão de saturação coletor-emissor: 2,45 V Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 226A Corrente de fuga do emissor-portão: 400 nA Pd - Dissipação de Potência: 700 W Pacote / Estojo: EconoPACK 3A Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC Embalagem: Bandeja Marca: Tecnologias Infineon Altura: 17 milímetros Comprimento: 122 milímetros Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V Estilo de montagem: Montagem do chassi Tipo de Produto: Módulos IGBT Subcategoria: IGBTs Tecnologia: Si Largura: 62 milímetros
